Z-NAND : Samsung présente un premier « Z-SSD » de 800 Go

Optane pour tous... ou pas
Z-NAND : Samsung présente un premier « Z-SSD » de 800 Go

Samsung vient de présenter un prototype de Z-SSD exploitant de la Z-NAND. À l'instar de 3D XPoint/Optane, cette technologie se cherche une place entre la NAND classique et la mémoire. Elle est pensée pour proposer des débits plus élevés, avec une latence revue à la baisse. 

Comparés aux disques durs, les SSD permettent d'atteindre des débits très élevés avec une latence très faible. Ils restent néanmoins en dessous des performances de la mémoire vive sur ce dernier point. Chaque technologie dispose ainsi de son avantage propre, et donc de son utilité au sein d'une machine.

Intel veut changer la donne avec Optane...

Intel travaille depuis plusieurs années sur une solution intermédiaire, 3D XPoint, qui commence à débarquer sur le marché avec sa gamme Optane. Un premier SSD pour datacenters vient d'être annoncé officiellement : le DC P4800X. La version grand public devrait être dévoilée à son tour dans quelques jours.

Ici, l'objectif n'est pas de battre des records de débits, mais de proposer une latence plus faible que les SSD classiques avec une meilleure densité que la DDR3/4 et d'offrir bonnes performances en toute circonstances à un tarif raisonnable. Le tout pouvant être utilisé comme stockage ou comme complément à la mémoire du système.

... avec sa Z-NAND, Samsung vient jouer sur ses plates-bandes

Le géant de Santa Clara n'est pas le seul à s'intéresser à ce marché. Samsung planche sur sa propre solution avec la Z-NAND. Après une annonce au Flash Memory Summit de l'année dernière, le fabricant profitait du Cloud Expo Europe de Londres pour en dire un peu plus et surtout exposer un premier modèle de « Z-SSD », comme le rapportent nos confrères d'AnandTech. L'occasion de commencer à faire le point.

Z-SSD Samsung
Crédits : AnandTech

Ainsi, on apprend que le MZ-PJB8000 de Samsung est au format PCI Express 3.0 x4 HH (Half Height) et affiche une capacité de 800 Go. Le fabricant annonce des débits pouvant atteindre 3,2 Go/s en lecture et en écriture, pour respectivement 750 et 160 kIOPS au maximum (sans précision sur les conditions des tests).

Pour rappel, le DC P4800X d'Intel est donné pour un maximum de 2 Go/s mais 550/500 kIOPS en lecture/écriture. Ici, les deux produits semblent donc commencer à se distinguer.

De nombreuses questions restent en suspens

Ne cherchez pas d'informations détaillée pour la latence, Samsung indique juste qu'elle est 70 % plus faible que les SSD NVMe classique, mais là encore sans donner le moindre chiffre précis. En août de l'année dernière, le fabricant annonçait avoir divisé cette dernière par quatre par rapport au SSD PM963 NVMe

Samsung fait d'ailleurs aussi l'impasse sur la question de l'endurance ou le prix de son SSD MZ-PJB8000. Reste donc à la société à compléter un peu ces éléments et surtout à faire ses preuves lors de tests pratiques de son produit, que ce soit face à des SSD classiques ou à la technologie Optane.

Il sera alors temps de voir si l'on fait face à un vrai changement dans le domaine, ou pas.

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  • De nombreuses questions restent en suspens
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