NAND 3D : des puces MLC et TLC chez Intel/Micron, Toshiba empile 48 couches

Bientôt 10 To dans un SSD de 2.5 pouces
NAND 3D : des puces MLC et TLC chez Intel/Micron, Toshiba empile 48 couches

Après Samsung, c'est au tour d'Intel et de Micron de lancer officiellement la fabrication de puces de Flash NAND en 3D. Ils précisent aussi qu'il sera possible d'atteindre 10 To sur des modèles de 2,5". Après des années de silence, Toshiba revient également sur le devant de la scène avec des puces de 3D NAND sur 48 couches

Afin d'augmenter la capacité de stockage à superficie équivalente, les fabricants de mémoire Flash NAND passent petit à petit à une structure 3D en empilant plusieurs couches. Samsung était le premier en août 2013 à lancer la production de sa V-NAND ou Vertical NAND. Alors qu'Intel et Micron évoquaient pour la première fois leur NAND 3D à la fin de l'année dernière, les deux partenaires de la joint-venture IMFT passent un nouveau cap et viennent officiellement d'annoncer la mise en production.

Intel et Micron : début de la production de la 3D NAND, des SSD en préparation

Comme prévu, il est donc question de 32 couches pour une capacité totale de 256 Gb (32 Go) avec des puces MLC (deux bits par cellule). Mais, à l'instar de Samsung, Intel et Micron proposent également des puces TLC (trois bits par cellule) d'une capacité de 384 Gb (48 Go). Ils annoncent ainsi pouvoir produire des SSD de 3,5 To au format M.2 et jusqu'à 10 To avec un modèle de 2,5 pouces.

Au-delà de la capacité de stockage qui augmente, il est aussi question « d'une consommation énergétique plus faible et de performances en hausse ». Les deux compères ne donnent par contre aucun chiffre pour appuyer leurs dires. Pour rappel, il s'agit d'arguments que l'on retrouve également chez Samsung concernant sa V-NAND.

3D NAND Intel3D NAND Intel

Les premiers essais en production ont d'ores et déjà été lancés et la production de masse débutera d'ici le quatrième trimestre de l'année. Des échantillons de puces MLC 3D NAND de 256 Gb sont en cours d'envoi chez les partenaires, tandis que les versions TLC seront expédiées un peu plus tard durant le printemps. Intel et Micron développent également leurs propres SSD exploitant ces nouvelles puces. Ils devraient arriver d'ici l'année prochaine, sans plus de précision pour le moment que ce soit sur les capacités, les performances ou les prix.

8 ans après sa première annonce de 3D NAND, Toshiba revient et empile 48 couches

Hasard ou pas du calendrier, Toshiba vient d'annoncer la première puce « au monde » de mémoire NAND Flash MLC avec l'empilement de 48 couches : BiCS. La capacité annoncée n'est par contre que de 128 Gb (16 Go), soit deux fois moins qu'Intel/Micron et Samsung. On rappellera par contre que Toshiba était le premier fabricant à se lancer dans la 3D NAND en 2007, mais sans vraiment concrétiser cela par la suite. 

Les premiers échantillons sont en cours d'envoi auprès des partenaires de la marque, mais la production de masse n'est pas attendue avant 2016, le temps que l'usine Fab2 à Yokkaichi au Japon soit finie. Comme nous avons régulièrement l'occasion de l'évoquer, on retrouve des puces de NAND Flash de Toshiba dans les SSD OCZ (qui appartient à Toshiba), mais aussi chez Plextor et Corsair par exemple.

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66 commentaires
Avatar de Gilbert_Gosseyn Abonné
Avatar de Gilbert_GosseynGilbert_Gosseyn- 27/03/15 à 12:19:04

Un tel empilement de couches ne risque-t-il pas d'être excessivement dur à refroidir ?

Avatar de Oliewan Abonné
Avatar de OliewanOliewan- 27/03/15 à 12:21:31

Je me posais la même question...

Avatar de Tirr Mohma INpactien
Avatar de Tirr MohmaTirr Mohma- 27/03/15 à 12:27:19

"d'une consommation énergétique plus faible et de performances en hausse "

Si ça consomme, ça chauffe moins, à cause de l'effet joule. Si la consommation électrique est plus faible c'est que la résistance électrique est globalement plus faiblement par conséquent il y a moins de perte sous forme de chaleur. (perte par effet joule)

Avatar de js2082 Abonné
Avatar de js2082js2082- 27/03/15 à 12:28:49

C'est peut-être aussi pour ça que la capacité prévue par Toshiba est deux fois moins importante que celle des concurrents.

Ils doivent avoir prévu plus d'espace entre les cellules pour qu'elles dissipent mieux la chaleur.
(et peut-être aussi que les concurrents concentrent trop les cellules, ce qui expliquerait les étranges problèmes de samsung avec ses TLC)

Édité par js2082 le 27/03/2015 à 12:30
Avatar de benjarobin Abonné
Avatar de benjarobinbenjarobin- 27/03/15 à 12:33:04

C'est quoi cette théorie fumeuse ?
Et franchement la dissipation thermique des puces flash sont je pense négligeable en terme de surface par Watt dégagés par rapport au contrôleur qui est en amont

Édité par benjarobin le 27/03/2015 à 12:34
Avatar de anonyme_ba589e8ac9f0494df63f7c9b90643523 INpactien

NAS de 5 SSD 10 To en raid 6, le rêve niveau performance.

Avatar de js2082 Abonné
Avatar de js2082js2082- 27/03/15 à 12:39:44

benjarobin a écrit :

C'est quoi cette théorie fumeuse ? 

Je sais pas.
C'est peut-être ce qu'on appelle la base de la thermoélectricité?

Enfin, je dis ça, je dis rien...

Quant à la différence de dissipation thermique entre les cellules et le contrôleur, je ne la connais pas. Seulement que les cellules deviennent plus fragiles et sensibles à la chaleur quand leur taille diminue.
 Si tu as des chiffres, merci de les partager.
 

Édité par js2082 le 27/03/2015 à 12:43
Avatar de benjarobin Abonné
Avatar de benjarobinbenjarobin- 27/03/15 à 12:45:00

Depuis quand une flash cela consomme beaucoup ?
Pour rappel la consommation en pic de charge est de 3W pour un SSD 850 pro de Samsung. La charge moyenne en usage intensif est inférieur à 1W... Cela va être en effet très dur à dissiper une telle consommation... ou pas, consommation qui est réalisée en majeur partie par le contrôleur des puces nands.

Avatar de tazvld Abonné
Avatar de tazvldtazvld- 27/03/15 à 12:57:07

Tirr Mohma a écrit :

"d'une consommation énergétique plus faible et de performances en hausse "

Si ça consomme, ça chauffe moins, à cause de l'effet joule. Si la consommation électrique est plus faible c'est que la résistance électrique est globalement plus faiblement par conséquent il y a moins de perte sous forme de chaleur. (perte par effet joule)

Le problème vient plus de l'évacuation de la chaleur.

Avatar de DayWalker Abonné
Avatar de DayWalkerDayWalker- 27/03/15 à 13:27:40

js2082 a écrit :

Ils doivent avoir prévu plus d'espace entre les cellules pour qu'elles dissipent mieux la chaleur.
(et peut-être aussi que les concurrents concentrent trop les cellules, ce qui expliquerait les étranges problèmes de samsung avec ses TLC)

Justement, j'espère bien qu'il n'y a pas d'espace. Il me semble que l'air conduit nettement moins bien la chaleur que le Si ^ ^ (et pour rappel, tout ca est packagé, donc pas de circulation d'air).

Bref, non, c'est bien évidement un contact qui peut aider à dissiper... par les surfaces du boitier de packaging

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